手机内存卡fat32和ntfs格式有什么区别？

NTFS和FAT32的区别

1文件分配表（FAT）

一种供MS-DOS及其它W尝户佰鞠脂角拌携饱毛indows操作系统对文件进行组织与管理的文件系统。文件分配表（FAT）是当您使用FAT或FAT32文件系统对特定卷进行格式化时，由Windows所创建的一种数据结构。Windows将与文件相关的信息存储在FAT中，以供日后获取文件时使用。

2FAT32

一种从文件分配表（FAT）文件系统派生而来的文件系统。与FAT相比，FAT32能够支持更小的簇以及更大的容量，从而能够在FAT32卷上更为高效的分配磁盘空间。

3NTFS文件系统

一种能够提供各种FAT版本所不具备的性能、安全性、可靠性与先进特性的高级文件系统。举例来说，NTFS通过标准事务日志功能与恢复技术确保卷的一致性。如果系统出现故障，NTFS能够使用日志文件与检查点信息来恢复文件系统的一致性。在Windows 2000和Windows XP中，NTFS还能提供诸如文件与文件夹权限、加密、磁盘配额以及压缩之类的高级特性。

4NTFS格式XP推崇使用。可以有效的减少使用磁片，有效的利用空间。安全性高。这个是优点。缺点是就在普通DOS下看不见。看见的C盘实值上是D盘。还有就是重做系统想格式C盘类烦。但XP装系统下可以。

FAT32优点方便

5NTFS和FAT32的区别就是：NTFS格式可以解压4G以上的文件，如DVD的iso，还有人制作AVI影像编剧的朋友必用NTFS硬盘格式，还有一点就是NTFS硬盘格式文件碎片很少！也很好清理的，只不过有些数据流而已，在DOS下也可以进入NTFS硬盘，用NTFS硬盘DOS就可以了！唯一点就是用IIS虚拟服务器支持ASP有些问题最好不要用NTFS硬盘格式做IIS，别的都可以的。

服务器内存和普通内存不能通用。服务器内存也是内存(RAM)，具有一些特有的技术从而有着极高的稳定性和纠错性能。最直观的分辨服务器内存与普通内存的方法就是看条子上的字有没有带ECC模块。

在普通的内存上，常常使用一种技术，同位检查码被广泛地使用在侦错码上，它们增加一个检查位给每个资料的字元（或字节），并且能够侦测到一个字符中所有奇（偶）同位的错误，但Parity有一个缺点，当计算机查到某个Byte有错误时，并不能确定错误在哪一个位，也就无法修正错误。

基于上述情况，产生了一种新的内存纠错技术，那就是ECC，ECC本身并不是一种内存型号，也不是一种内存专用技术，它是一种广泛应用于各种领域的计算机指令中，是一种指令纠错技术，从这个名称我们就可以看出它的主要功能就是“发现并纠正错误”，它比奇偶校正技术更先进的方面主要在于它不仅能发现错误，而且能纠正这些错误，这些错误纠正之后计算机才能正确执行下面的任务，确保服务器的正常运行。

由于服务器内存在各种技术上相对兼容机来说要严格得多，它强调的不仅是内存的速度，而是它的内在纠错技术能力和稳定性。所以在外频上来说只能是紧跟兼容机或普通台式内存之后。台式机的外频一般来说已到了150MHz以上的时代，但133外频仍是主流。

而服务器由于受到整个配件外频和高稳定性的要求制约，内存、其它配件也一样，要尽量同步进行，否则就会影响整个服务器的性能。主要的服务器内存品牌主要有Kingmax、kinghorse、三星、kingston、IBM、VIKING、NEC等，但主要以前面几种在市面上较为常见，而且质量也能得到较好的保障。

1、如果是看内存卡的文件格式，也就是fat、fat32、ntfs这种形式的，你就：右击内存盘符→属性，即可看到。

2、如果是看你的手机内存卡支持什么格式的视频及电子书。你可以去网上查下，用你的手机型号，可以看到它支持的格式。或者打开购机送的说明书。

3、一般的手机都支持的：视频格式（3gp,mp4）电子书（txt）

你的问题没有说清楚哦，

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）10---12版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或65，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为12版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）12b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为12；g代表修订版本，如2代表修订版本为12；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为20）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、33V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少75ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为20。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为10）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为21001/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=25；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表75ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为10。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为8001/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=33V,U=25V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（75=75ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，75是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有036mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV12版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV11版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=02微米33V Vdd CMOS，V=25V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 基粒数目 = 16 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113

FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，02微米33V

Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=33V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[33V]、L=DDR SDRAM[25V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [156μs]、1 = 32m/2

[156μS]、2 = 128M/8K[156μS]、3 = 64M/8K[78μS]、4 = 128M/16K[78μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(33V)、1=SSTL_2(25V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 67NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 75NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT16=64MBIT内存芯片，33V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (156μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(33V)，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=33V VDD CMOS，V=25V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CDEF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS

SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ

DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=25

-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=25）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=25）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，75=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=68NS〔147MHZ〕，75A=75NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

[156μS]、2 = 128M/8K[156μS]、3 = 64M/8K[78μS]、4 = 128M/16K[78μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(33V)、1=SSTL_2(25V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 67NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 75NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT16=64MBIT内存芯片，33V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (156μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(33V)，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=33V VDD CMOS，V=25V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CDEF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS

SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ

DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=25

-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=25）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=25）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，75=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=68NS〔147MHZ〕，75A=75NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

问题一：三星内存条 型号CE M471B5773CHS-CK0 含义请详解 M=memory

4=SODIMM也就是笔记本内存

71=204个金手指

B=DDR3

57=DEPTH 2Gb

7=8bank 15V

3=8 bit

C=40nm制程

H=FBGA封装 无铅无汞

S表示简版内存

C=0~85°工作温度 15V电压

K0=DDR3-1600

问题二：内存条的型号是什么意思？ 你这是联想的笔记本内存条吧，升级内存条，买和以前一样型号的就可以了，品牌无所谓；你这上面的参数还少了个内存容量， 你这个内存是 DDR3 1066MHZ的，但是不知道内存容量

问题三：内存编码含义的Samsung 主要含义：第1位――芯片功能K，代表是内存芯片。第2位――芯片类型4，代表DRAM。第3位――芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM 、T代表DDR2 DRAM、D表示GDDR1（显存颗粒）。第4、5位――容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位――数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。第8位――为一个数字，表示内存的物理Bank，即颗粒的数据位宽，有3和4两个数字，分别表示4Banks和8Banks。对于内存而言，数据宽度×芯片数量=数据位宽。这个值可以是64或128，对应着这条内存就是1个或2个bank。例如256M内存32×4格式16颗芯片：4×16=64，双面内存单bank；256M内存16M×16格式 8颗芯片：16×8=128，单面内存双bank。所以说单或双bank和内存条的单双面没有关系。另外，要强调的是主板所能支持的内存仅由主板芯片组决定。内存芯片常见的数据宽度有4、8、16这三种，芯片组对于不同的数据宽度支持的最大数据深度不同。所以当数据深度超过以上最大值时，多出的部分主板就会认不出了，比如把256M认成128M就是这个原因，但是一般还是可以正常使用。第9位――由一个字符表示采用的电压标准，Q：SSTL-18V （18V，18V）。与DDR的25V电压相比，DDR2的18V是内存功耗更低，同时为超频留下更大的空间。第10位――由一个字符代表校订版本，表示所采用的颗粒所属第几代产品，M表示1st，A-F表示2nd-7th。目前，长方形的内存颗粒多为A、B、C三代颗粒，而现在主流的FBGA颗粒就采用E、F居多。靠前的编号并不完全代表采用的颗粒比较老，有些是由于容量、封装技术要求而不得不这样做的。第11位――连线“-”。第12位――由一个字符表示颗粒的封装类型，有G，S：FBGA（Leaded）、Z，Y：FBGA（Leaded-Free）。目前看到最多的是TSOP和FBGA两种封装，而FBGA是主流（之前称为mBGA）。其实进入DDR2时代，颗粒的封装基本采用FBGA了，因为TSOP封装的颗粒最高频率只支持到550MHz，DDR最高频率就只到400MHz，像DDR2 667、800根本就无法实现了。第13位――由一个字符表示温控和电压标准，“C”表示mercial Temp( 0°C ~ 85°C) & Normal Power，就是常规的18V电压标准；“L”表示mercial Temp( 0°C ~ 85°C) & Low Power，是低电压版，适合超频，一般很少在普及型内存上使用，因为三星比较注重稳定性和兼容性，并不想更多的发烧友超频带来危险。第14、15位――芯片的速率，如60为6ns；70为 7ns；7B为75ns (CL=3)；7C为75ns (CL=2) ；80为 8ns；10 为10ns (66MHz)。DDR2起步频率是400MHz，主流最高频率是800MHz，也有品牌出过1066MHz，其实在DDR2的应用层面上已经没有多大的用处了，因此这段的两个字符“CC”表示DDR2-400（200MHz@ CL=3、tRCD=3、tRP=3）、“D5”表示D>>

问题四：想问一下三星内存条的型号有什么区别 目前使用三星的内存颗粒来生产内存条的厂家非常多，在市场上有很高的占有率。由于其产品线庞大，所以三星内存颗粒的命名规则非常复杂。三星内存颗粒的型号采用一个16位数字编码命名的。这其中用户更关心的是内存容量和工作速率的识别，所以我们重点介绍这两部分的含义。

编码规则：K 4 X X X X X X X X - X X X X X

主要含义：

第1位――芯片功能K，代表是内存芯片。

第2位――芯片类型4，代表DRAM。

第3位――芯片的更进一步的类型说明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。

第4、5位――容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量;28、27、2A代表128Mbit的容量;56、55、57、5A代表256Mbit的容量;51代表512Mbit的容量。

第6、7位――数据线引脚个数，08代表8位数据;16代表16位数据;32代表32位数据;64代表64位数据。

第11位――连线“-”。

第14、15位――芯片的速率，如60为6ns;70为 7ns;7B为75ns (CL=3);7C为75ns (CL=2) ;80为8ns;10 为10ns (66MHz)。

知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。例如一条三星DDR内存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0颗粒封装。颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128Mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128Mbits(兆数位)× 16片/8bits=256MB(兆字节)。

问题五：三星笔记本内存条编号都代表什么？ 就是生产时间：12年09月。

与兼容性无关。

问题六：三星内存编号 1g 1rx8 pc3-10600u-09-10-A0表示啥意思？ 1g 表示是内存 pc3：三代内存DDR3

10600是用带宽来命名，133364/8=10664，1333是DDR等效频率

问题七：三星笔记本内存型号的含义 不一定要那个型号的

问题八：想加个内存条 求教海力士内存条型号的各个含义 。。第二行是内存的重要参数：4GB是容量，1RX8是“单面”8芯片颗粒，PC3L-12800S-11-12-B4为DDR3L 1600低电压条子，11-12-B4为内存的时序参数不用管它。第三行为产品工厂编码也不用管它。简言之，单面 DDR3L 1600 4GB。

问题九：内存条上的数字都代表什么意思 这是一条海力士DDR2 667内存

2RX16表示 双面内存有16个内存颗粒，5300S表示内存带宽53G

5 5 5-12表示内存的延迟，

第二排是序列号之类的，意义不详。

问题十：服务器内存型号含义 PC就是个人电脑P,就是个人的personal puter(个人电脑)

5300p的p是指服务器用（没多大意义）

第二个r：

就是带寄存器的双线内存模块。Registered内存本身有两种工作模式，即

Registered模式（寄存器模式）和Buffered（缓冲器模式）模式。在支持Registered工作模式的主板上工作时，Registered内存工作于

Registered模式，这时主板上的地址信号和控制信号会比数据信号先一个时钟周期到达DIMM，送入Register芯片后会在其中停留一个时钟周期，然后在下一个时钟信号的上升沿从Register输出，与此时从主板上到达DIMM的数据信号一起同时传送到SDRAM。当Registered内存工作在普通的主板上时，为Buffered工作模式，这时所有的信号也基本上是同时到达DIMM再同时传送到SDRAM，Register芯片这时在功能上只相当于一个简单的Buffer，其输入到输出之间是直通的，只简单的起到改善地址信号和控制信号的作用，时序上与Unbuffered内存是一样的。

（一般用于服务器）

有三种DIM内存可用：UDIM内存、RDIM内存和LRDIM内存。在处理较大型工作负载时，无缓冲DIM(UDIM)速度快、廉价但不稳定。寄存器式DIM(RDIM)内存稳定、扩展性好、昂贵，而且对内存控制器的电气压力小。它们同样在许多传统服务器上使用。降载DIM(LRDIM)内存是寄存器式内存的替代品，它们能提供高内存速度，降低服务器内存总线的负载，而且功耗更低。 咨询更多相关信息可联系北京并行科技股份有限公司，产品服务：北京并行科技股份有限公司，立足于高性能计算领域，提供数据中心设计、建设、在线运维、运营大数据采集分析、业务运行优化等全方位服务。拥有自主研发的数据中心在线运维软件和运营大数据分析软件。谢谢！

不是。服务器内存条不一定是整数。服务器内存也是内存(RAM)，具有一些特有的技术从而有着极高的稳定性和纠错性能。最直观的分辨服务器内存与普通内存的方法就是看条子上的字有没有带ECC模块。

服务器内存不能用普通pc内存，不认。

1、服务器内存，主要是ecc和reg内存，都有特殊的校验和寄存器功能，和普通的pc内存是不一样的。要求很高。

2、普通的pc内存，直接插到服务器主板上是不能认到的。有个别要求不严的工作站级的主板可以认，但容易出错。

服务器内存也是内存，它与平常在电脑城所见的普通pc机内存在外观和结构上没有什么明显实质性的区别，它主要是在内存上引入了一些新的技术，普通pc机上的内存在服务器上一般是不可用的服务器认不到的，这就是说服务器内存不能随便为了贪便宜用普通pc机的内存来替代的原因了。

有些人把具有某种技术的内存就称之为“服务器内存”，其实是不全面的，服务器的这些内存技术之所以在目前看来是服务器在专用，但不能保证永远只能是服务器专用。这些新技术之所以先在服务器上得以应用是因为服务器价格较贵，有条件得以应用，这些新技术由于价格的原因暂时在普通pc机上无法实现应用，但是会随着配件价格的下降逐步走向普通pc机，就像原来的奇偶校正内存一样原先也是最先应用在服务器上，现在已经很普遍了。