下列有关存储器读写速度的排列，正确的是（）

答案是B，Cache＞RAM＞硬盘＞软盘。

Cache：高速缓冲存储器（Cache）是位于cpu和内存之间的存储器，是一个读写速度比内存更快的存储器，当cpu向内存中读取或写入数据的时候买这些数据也会存入Cache中。

当cup再需要这些数据的时候，就会直接去Cache中读取，而不是内存中，当然，若需要的数据在Cache中没有，cpu会再去内存中读取。

RAM：随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存。

内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有4M／条、8M／条、16M／条等。

硬盘：传输速率（Data Transfer Rate)硬盘的数据传输率是指硬盘读写数据的速度，单位为兆字节每秒（MB/s）。硬盘数据传输率又包括了内部数据传输率和外部数据传输率。

内部传输率（Internal Transfer Rate) 也称为持续传输率（Sustained Transfer Rate），它反映了硬盘缓冲区未用时的性能。内部传输率主要依赖于硬盘的旋转速度。

外部传输率（External Transfer Rate）也称为突发数据传输率（Burst Data Transfer Rate）或接口传输率，它标称的是系统总线与硬盘缓冲区之间的数据传输率，外部数据传输率与硬盘接口类型和硬盘缓存的大小有关。

Fast ATA接口硬盘的最大外部传输率为166MB/s，而Ultra ATA接口的硬盘则达到333MB/s。

软盘：软盘在个人计算机中作为一种可移贮存硬件，它是用于那些需要被物理移动的小文件的理想选择。软盘有八寸、五又四分之一寸、三寸半之分。当中又分为硬磁区Hard-sectored 及软磁区Soft-Sectored。

软式磁盘驱动器则称FDD，软盘片是覆盖磁性涂料的塑料片，用来储存数据文件，磁盘片的容量有525”的12MB，35”的144MB。

扩展资料：

选用基本原则：

1．内部存储器与外部存储器

当确定了存储程序代码和数据所需要的存储空间之后，设计工程师将决定是采用内部存储器还是外部存储器。

通常情况下，内部存储器的性价比最高但灵活性最低，因此设计工程师必须确定对存储的需求将来是否会增长，以及是否有某种途径可以升级到代码空间更大的微控制器。

2．引导存储器

在较大的微控制器系统或基于处理器的系统中，设计工程师可以利用引导代码进行初始化。应用本身通常决定了是否需要引导代码，以及是否需要专门的引导存储器。某些微控制器既有内部存储器也有外部寻址总线，在这种情况下，引导代码将驻留在内部存储器中，而操作代码在外部存储器中。

3．配置存储器

对于现场可编程门阵列(FPGA）或片上系统(SoC)，人们使用存储器来存储配置信息。这种存储器必须是非易失性EPROM、EEPROM或闪存。

大多数情况下，FPGA采用SPI接口，但一些较老的器件仍采用FPGA串行接口。串行EEPROM或闪存器件最为常用，EPROM用得较少。

4．程序存储器

所有带处理器的系统都采用程序存储器，但设计工程师必须决定这个存储器是位于处理器内部还是外部。在做出了这个决策之后，设计工程师才能进一步确定存储器的容量和类型。

在大多数嵌入式系统中，人们利用闪存存储程序以便在线升级固件。代码稳定的较老的应用系统仍可以使用ROM和OTP存储器，但由于闪存的通用性，越来越多的应用系统正转向闪存。

5．数据存储器

与程序存储器类似，数据存储器可以位于微控制器内部，或者是外部器件，但这两种情况存在一些差别。

有时微控制器内部包含SRAM(易失性)和EEPROM(非易失)两种数据存储器，但有时不包含内部EEPROM，在这种情况下，当需要存储大量数据时，设计工程师可以选择外部的串行EEPROM或串行闪存器件。

当需要外部高速数据存储器时，通常选择并行SRAM并使用外部串行EEPROM器件来满足对非易失性存储器的要求。一些设计还将闪存器件用作程序存储器，但保留一个扇区作为数据存储区。这种方法可以降低成本、空间并提供非易失性数据存储器。

针对非易失性存储器要求，串行EEPROM器件支持I2C、SPI或微线(Microwire)通讯总线，而串行闪存通常使用SPI总线。由于写入速度很快且带有I2C和SPI串行接口，FRAM在一些系统中得到应用。

6．易失性和非易失性存储器

存储器可分成易失性存储器或者非易失性存储器，前者在断电后将丢失数据，而后者在断电后仍可保持数据。设计工程师有时将易失性存储器与后备电池一起使用，使其表现犹如非易失性器件，但这可能比简单地使用非易失性存储器更加昂贵。

在有连续能量供给的系统中，易失性或非易失性存储器都可以使用，但必须基于断电的可能性做出最终决策。如果存储器中的信息可以在电力恢复时从另一个信源中恢复出来，则可以使用易失性存储器。

选择易失性存储器与电池一起使用的另一个原因是速度。尽管非易失存储器件可以在断电时保持数据，但写入数据(一个字节、页或扇区)的时间较长。

7．串行存储器和并行存储器

在定义了应用系统之后，微控制器的选择是决定选择串行或并行存储器的一个因素。对于较大的应用系统，微控制器通常没有足够大的内部存储器，这时必须使用外部存储器，因为外部寻址总线通常是并行的，外部的程序存储器和数据存储器也将是并行的。

较小的应用系统通常使用带有内部存储器但没有外部地址总线的微控制器。如果需要额外的数据存储器，外部串行存储器件是最佳选择。大多数情况下，这个额外的外部数据存储器是非易失性的。

根据不同的设计，引导存储器可以是串行也可以是并行的。如果微控制器没有内部存储器，并行的非易失性存储器件对大多数应用系统而言是正确的选择。但对一些高速应用，可以使用外部的非易失性串行存储器件来引导微控制器，并允许主代码存储在内部或外部高速SRAM中。

8．EEPROM与闪存

存储器技术的成熟使得RAM和ROM之间的界限变得很模糊，如今有一些类型的存储器(如EEPROM和闪存)组合了两者的特性。这些器件像RAM一样进行读写，并像ROM一样在断电时保持数据，它们都可电擦除且可编程，但各自有它们优缺点。

从软件角度看，独立的EEPROM和闪存器件是类似的，两者主要差别是EEPROM器件可以逐字节地修改，而闪存器件只支持扇区擦除以及对被擦除单元的字、页或扇区进行编程。

对闪存的重新编程还需要使用SRAM，因此它要求更长的时间内有更多的器件在工作，从而需要消耗更多的电池能量。设计工程师也必须确认在修改数据时有足够容量的SRAM可用。

存储器密度是决定选择串行EEPROM或者闪存的另一个因素。市场上可用的独立串行EEPROM器件的容量在128KB或以下，独立闪存器件的容量在32KB或以上。

如果把多个器件级联在一起，可以用串行EEPROM实现高于128KB的容量。很高的擦除/写入耐久性要求促使设计工程师选择EEPROM，因为典型的串行EEPROM可擦除/写入100万次。闪存一般可擦除/写入1万次，只有少数几种器件能达到10万次。

今天，大多数闪存器件的电压范围为27V到36V。如果不要求字节寻址能力或很高的擦除/写入耐久性，在这个电压范围内的应用系统采用闪存，可以使成本相对较低。

9．EEPROM与FRAM

EEPROM和FRAM的设计参数类似，但FRAM的可读写次数非常高且写入速度较快。然而通常情况下，用户仍会选择EEPROM而不是FRAM，其主要原因是成本(FRAM较为昂贵)、质量水平和供货情况。设计工程师常常使用成本较低的串行EEPROM，除非耐久性或速度是强制性的系统要求。

DRAM和SRAM都是易失性存储器，尽管这两种类型的存储器都可以用作程序存储器和数据存储器，但SRAM主要用于数据存储器。DRAM与SRAM之间的主要差别是数据存储的寿命。只要不断电，SRAM就能保持其数据，但DRAM只有极短的数据寿命，通常为4毫秒左右。

与SRAM相比，DRAM似乎是毫无用处的，但位于微控制器内部的DRAM控制器使DRAM的性能表现与SRAM一样。DRAM控制器在数据消失之前周期性地刷新所存储的数据，所以存储器的内容可以根据需要保持长时间。

由于比特成本低，DRAM通常用作程序存储器，所以有庞大存储要求的应用可以从DRAM获益。它的最大缺点是速度慢，但计算机系统使用高速SRAM作为高速缓冲存储器来弥补DRAM的速度缺陷。

10、云储存

和传统存储相比，云存储系统具有如下优势：优异性能支持高并发、带宽饱和利用。云存储系统将控制流和数据流分离，数据访问时多个存储服务器同时对外提供服务，实现高并发访问。

参考资料：

-CACHE存储器

-随机存取存储器

-硬盘

-软盘

-存储器

过去几十年，全球半导体行业增长主要受台式机、笔记本电脑和无线通信产品等尖端电子设备的需求，以及基于云计算兴起的推动。这些增长将继续为高性能计算市场领域开发新应用程序。

首先，5G将让数据量呈指数级增长。我们需要越来越多的服务器来处理和存储这些数据。2020年Yole报告，这些服务器核心的高端CPU和GPU的复合年增长率有望达到29%。它们将支持大量的数据中心应用，比如超级计算和高性能计算服务。在云 游戏 和人工智能等新兴应用的推动下，GPU预计将实现更快增长。例如，2020年3月，互联网流量增长了近50%，法兰克福的商业互联网数据交换创下了数据吞吐量超过每秒91兆兆位的新世界纪录。

第二个主要驱动因素是移动SoC——智能手机芯片。这个细分市场增长虽然没有那么快, 但这些SoC在尺寸受限的芯片领域对更多功能的需求，将推动进一步技术创新。

除了逻辑、内存和3D互联的传统维度扩展之外，这些新兴应用程序将需要利用跨领域的创新。这需要在器件、块和SoC级别进行新模块、新材料和架构的改变，以实现在系统级别的效益。我们将这些创新归纳为半导体技术的五大发展趋势。

趋势一:摩尔定律还有用，将为半导体技术续命8到10年…

在接下来的8到10年里，CMOS晶体管的密度缩放将大致遵循摩尔定律。这将主要通过EUV模式和引入新器件架构来实现逻辑标准单元缩放。

在7nm技术节点上引入了极紫外(EUV)光刻，可在单个曝光步骤中对一些最关键的芯片结构进行了设计。在5nm技术节点之外(即关键线后端(BEOL)金属节距低于28-30nm时)，多模式EUV光刻将不可避免地增加了晶圆成本。最终，我们希望高数值孔径(High-NA) EUV光刻技术能够用于行业1nm节点的最关键层上。这种技术将推动这些层中的一些多图案化回到单图案化，从而提供成本、产量和周期时间的优势。

Imec对随机缺陷的研究对EUV光刻技术的发展具有重要意义。随机打印故障是指随机的、非重复的、孤立的缺陷，如微桥、局部断线、触点丢失或合并。改善随机缺陷可使用低剂量照射，从而提高吞吐量和成本。

为了加速高NA EUV的引入，我们正在安装Attolab，它可以在高NA EUV工具面世之前测试一些关键的高NA EUV材料(如掩膜吸收层和电阻)。目前Attolab已经成功地完成了第一阶段安装，预计在未来几个月将出现高NA EUV曝光。

除了EUV光刻技术的进步之外，如果没有前沿线端(FEOL)设备架构的创新，摩尔定律就无法延续。如今，FinFET是主流晶体管架构，最先进的节点在6T标准单元中有2个鳍。然而，将鳍片长度缩小到5T标准单元会导致鳍片数量减少，标准单元中每个设备只有一个鳍片，导致设备的单位面积性能急剧下降。这里，垂直堆叠纳米薄片晶体管被认为是下一代设备，可以更有效地利用设备占用空间。另一个关键的除垢助推器是埋地动力轨(BPR)。埋在芯片的FEOL而不是BEOL，这些BPR将释放互连资源路由。

将纳米片缩放到2nm一代将受到n-to-p空间约束的限制。Imec设想将Forksheet作为下一代设备。通过用电介质墙定义n- p空间，轨道高度可以进一步缩放。与传统的HVH设计相反，另一个有助于提高路由效率的标准单元架构发展是针对金属线路的垂直-水平-垂直(VHV)设计。最终通过互补场效应晶体管(CFET)将标准cell缩小到4T，之后充分利用cell层面上的第三维度，互补场效应晶体管通过将n-场效应晶体管与p-场效应晶体管折叠。

趋势2: 在固定功率下，逻辑性能的提高会慢下来

有了上述的创新，我们期望晶体管密度能遵循摩尔所规划的路径。但是在固定电源下，节点到节点的性能改进——被称Dennard缩放比例定律，Dennard缩放比例定律（Dennard scaling）表明，随着晶体管变得越来越小，它们的功率密度保持不变，因此功率的使用与面积成比例；电压和电流的规模与长度成比例。

世界各地的研究人员都在寻找方法来弥补这种减速，并进一步提高芯片性能。上述埋地电力轨道预计将提供一个性能提高在系统水平由于改进的电力分配。此外，imec还着眼于在纳米片和叉片装置中加入应力，以及提高中线的接触电阻(MOL)。

二维材料如二硫化钨(WS2)在通道中有望提高性能，因为它们比Si或SiGe具有更强的栅长伸缩能力。其中基于2d的设备架构包括多个堆叠的薄片非常有前景，每个薄片被一个栅极堆叠包围并从侧面接触。模拟表明，这些器件在1nm节点或更大节点上比纳米片的性能更好。为了进一步改善这些器件的驱动电流，我们着重改善通道生长质量，在这些新材料中加入掺杂剂和提高接触电阻。我们试图通过将物理特性(如生长质量)与电气特性相关联来加快这些设备的学习周期。

除了FEOL, 走线拥挤和BEOL RC延迟，这些已经成为性能改善的重要瓶颈。为了提高通径电阻，我们正在研究使用Ru或Mo的混合金属化。我们预计半镶嵌(semi-damascene)金属化模块可同时改善紧密距金属层的电阻和电容。半镶嵌(semi-damascene) 可通过直接模式和使用气隙作为介电在线路之间(控制电容增加)

允许我们增加宽高比的金属线(以降低电阻)。同时，我们筛选了各种替代导体，如二元合金，它作为‘good old’ Cu的替代品，以进一步降低线路电阻。

趋势3:3D技术使更多的异构集成成为可能

在工业领域，通过利用25D或3D连接的异构集成来构建系统。这些有助于解决内存问题，可在受形状因素限制的系统中添加功能，或提高大型芯片系统的产量。随着逻辑PPAC(性能-区域-成本)的放缓，SoC 的智能功能分区可以提供另一个缩放旋钮。一个典型的例子是高带宽内存栈(HBM)，它由堆叠的DRAM芯片组成，这些芯片通过短的interposer链路直接连接到处理器芯片，例如GPU或CPU。最典型的案例是Intel Lakefield CPU上的模对模堆叠， AMD 7nm Epyc CPU。在未来，我们希望看到更多这样的异构SOC，它是提高芯片性能的最佳桥梁。

在imec，我们通过利用我们在不同领域(如逻辑、内存、3D…)所进行的创新，在SoC级别带来了一些好处。为了将技术与系统级别性能联系起来，我们建立了一个名为S-EAT的框架(用于实现高级技术的系统基准测试)。这个框架可评估特定技术对系统级性能的影响。例如:我们能从缓存层次结构较低级别的片上内存的3D分区中获益吗如果SRAM被磁存储器(MRAM)取代，在系统级会发生什么

为了能够在缓存层次结构的这些更深层次上进行分区，我们需要一种高密度的晶片到晶片的堆叠技术。我们已经开发了700nm间距的晶圆-晶圆混合键合，相信在不久的将来，键合技术的进步将使500nm间距的键合成为可能。

通过3D集成技术实现异质集成。我们已经开发了一种基于sn的微突起互连方法，互连间距降低到7µm。这种高密度连接充分利用了透硅通孔技术的潜力，使>16x更高的三维互联密度在模具之间或模具与硅插接器之间成为可能。这样就大大降低了对HBM I/O接口的SoC区域需求(从6 mm2降至1 mm2)，并可能将HBM内存栈的互连长度缩短至多1 mm。使用混合铜键合也可以将模具直接与硅结合。我们正在开发3µm间距的模具到晶圆的混合键合，它具有高公差和放置精度。

由于SoC变得越来越异质化，一个芯片上的不同功能(逻辑、内存、I/O接口、模拟…)不需要来自单一的CMOS技术。对不同的子系统采用不同的工艺技术来优化设计成本和产量可能更有利。这种演变也可以满足更多芯片的多样化和定制化需求。

趋势4:NAND和DRAM被推到极限;非易失性存储器正在兴起

内存芯片市场预测显示，2020年内存将与2019年持平——这一变化可能部分与COVID-19减缓有关。2021年后，这个市场有望再次开始增长。新兴非易失性存储器市场预计将以>50%的复合年增长率增长，主要受嵌入式磁随机存取存储器(MRAM)和独立相变存储器(PCM)的需求推动。

NAND存储将继续递增，在未来几年内可能不会出现颠覆性架构变化。当今最先进的NAND产品具有128层存储能力。由于晶片之间的结合，可能会产生更多的层，从而使3D扩展继续下去。Imec通过开发像钌这样的低电阻字线金属，研究备用存储介质堆，提高通道电流，并确定控制压力的方法来实现这一路线图。我们还专注于用更先进的FinFET器件取代NAND外围的平面逻辑晶体管。我们正在 探索 3D FeFET与新型纤锌矿材料，作为3D NAND替代高端存储应用。作为传统3D NAND的替代品，我们正在评估新型存储器的可行性。

对于DRAM，单元缩放速度减慢，EUV光刻可能需要改进图案。三星最近宣布EUV DRAM产品将用于10nm (1a)级。除了 探索 EUV光刻用于关键DRAM结构的模式，imec还为真正的3D DRAM解决方案提供了构建模块。

在嵌入式内存领域，我通过大量的努力来理解并最终拆除所谓的内存墙，CPU从DRAM或基于SRAM的缓存中访问数据的速度有多快如何确保多个CPU核心访问共享缓存时的缓存一致性限制速度的瓶颈是什么 我们正在研究各种各样的磁随机存取存储器(MRAM)，包括自旋转移转矩(STT)-MRAM，自旋轨道转矩(SOT)-MRAM和电压控制磁各向异性(VCMA)-MRAM)，以潜在地取代一些传统的基于SRAM的L1、L2和L3缓存(图4)。每一种MRAM存储器都有其自身的优点和挑战，并可能通过提高速度、功耗和/或内存密度来帮助我们克服内存瓶颈。为了进一步提高密度，我们还在积极研究可与磁隧道结相结合的选择器，这些是MRAM的核心。

趋势5:边缘人工智能芯片行业崛起

边缘 AI预计在未来五年内将实现100%的增长。与基于云的人工智能不同，推理功能是嵌入在位于网络边缘的物联网端点(如手机和智能扬声器)上的。物联网设备与一个相对靠近边缘服务器进行无线通信。该服务器决定将哪些数据发送到云服务器(通常是时间敏感性较低的任务所需的数据，如重新培训)，以及在边缘服务器上处理哪些数据。

与基于云的AI(数据需要从端点到云服务器来回移动)相比，边缘 AI更容易解决隐私问题。它还提供了响应速度和减少云服务器工作负载的优点。想象一下，一辆需要基于人工智能做出决定的自动 汽车 。由于需要非常迅速地做出决策，系统不能等待数据传输到服务器并返回。考虑到通常由电池供电的物联网设备施加的功率限制，这些物联网设备中的推理引擎也需要非常节能。

今天，商业上可用的边缘 AI芯片，加上快速GPU或ASIC，可达到1-100 Tops/W运算效率。对于物联网的实现，将需要更高的效率。Imec的目标是证明推理效率在10000个Tops /W。

通过研究模拟内存计算架构，我们正在开发一种不同的方法。这种方法打破了传统的冯·诺伊曼计算模式，基于从内存发送数据到CPU(或GPU)进行计算。使用模拟内存计算，节省了来回移动数据的大量能量。2019年，我们演示了基于SRAM的模拟内存计算单元(内置22nm FD-SOI技术)，实现了1000Tops/W的效率。为了进一步提高到10000Tops/W，我们正在研究非易失性存储器，如SOT-MRAM, FeFET和基于IGZO（铟镓锌氧化物）的存储器。

全闪存阵列和混合闪存阵列已经有了诸多讨论，而在服务器端部署固态存储还是一个实现闪存存储的流行方式，也是最简单的。包括SAS/SATA、PCIe闪存卡、NVMe闪存和双列直插式内存插槽的实现在内有多种方式部署服务器端闪存。除上述，服务器端闪存技术现在也可以用作永久性存储、缓存甚至与群集中其他服务器共享。

磁盘形式仍然很流行，并有3种尺寸：35英寸、25英寸和18英寸。它们和HDD尺寸相同并且一般都支持热插拔。SSD有与HDD同样厚，也有比HDD薄的。25英寸SSD是最为常见的服务器驱动形式了。 服务器端闪存另外一种常见的形式就是PCIe闪存卡。这些插入PCIe卡槽的闪存能提供快速访问存储。除了它们的容量，它们还频繁刷新物理大小——对于更小型的服务器需要着重考虑——伴随有像FHFL和HHHL的属性。

直连到PCI总线上降低了延迟，也是闪存卡产生巨大性能的原因。美中不足的是它们被限制在单服务器上，而且安装或移除时需要重启服务器。很多PCIe 闪存盘要求PCIe 20 x8插槽，但一些新产品通过PCIe 30 x4插槽连接。 M2 是一种专为包括SSD在内的几种不同类型的内部安装设备设计的新型接口。这种接口卡22mm宽，从30mm到110mm有不同长度。它们挂载到一个特殊的M2 PCIe卡槽并提供高达480GB的容量，这对于引导盘来讲绰绰有余了。目前它已经应用到笔记本和桌面电脑，并将对一些服务器端可用。

和M2相近但更早出现的一种接口类型是mSATA。它最先也应用与笔记本电脑，并可能用于服务器，但未来M2很可能取代mSATA。

服务器端厂商正采用另外一种来自消费市场的microSD卡。这种存储技术用于一些智能手机或小型计算设备，而在服务器上作为引导盘也备受期待。　　Supermicro SATA DOM也被称为SuperDOM是超微服务器端专用类型。这是一款极小的闪存驱动，插进最新一代服务器端主板一个特殊的SATA插槽。这个驱动盘有高达64GB的容量，作为引导盘足够。 目前服务器端有两种内存通道闪存类型：非易失性双列直插内存模块和内存通道存储。两种类型都通过内存通道执行读写操作到设备。它们也接到标准的DIMM插槽提供存储，但方式不同。　　NVDIMM 合并了DRAM、闪存、控制单元和一个独立电源，典型的超级电容。在意外断电或系统崩溃时候，将DRAM上数据存入闪存。而当电力恢复时，DRAM将从闪存恢复数据，NVDIMM适于写缓存、元数据存储、内存数据库、内存队列和需要完全DRAM性能并持续的类似操作。　　内存通道存储在DIMM上将快闪作为存储设备。这些设备容量高达400GB，但存在微妙级别的延迟。要求存储低延迟的很多应用可以利用这项技术。然而，为了利用内存通道存储，服务器主板BIOS/统一扩展固件接口需要了解内存或是存储将会出现在DIMM卡槽，并能够区分它们。今天一些服务器制造商正在制造具备这样能力的主板。目前制造这些产品的两大主要公司Diablo Technologies和Netlist存在诉讼活动，所以产品供应将直到问题解决才能不受限制。

cisco交换机配置清除、启动及基本配置 CISCO交换机基本配置

switch>ena 进入特权模式

switch#erase nvram 全部清除交换机的所有配置

switch#reload 重新启动交换机（初始提示符为switch> )

------------------------------------------------------------------------------------

CISCO交换机基本配置：Console端口连接

用户模式hostname> ；

特权模式hostname(config)# ；

全局配置模式hostname(config-if)# ；

交换机口令设置：

switch>enable ；进入特权模式

switch#config；进入全局配置模式

switch(config)#hostname csico ；设置交换机的主机名

switch(config)#enable secret csico1 ；设置特权加密口令

switch(config)#enable password csico8 ；设置特权非密口令

switch(config)#line console 0 ；进入控制台口

switch(config-line)#line vty 0 4 ；进入虚拟终端

switch(config-line)#login ；虚拟终端允许登录

switch(config-line)#password csico6 ；设置虚拟终端登录口令csico6

switch#write 保存配置设置

switch#copy running-config startup-config 保存配置设置，与write一样

switch#exit ；返回命令

配置终端过一会时间就会由全局配置模式自动改为用户模式，将超时设置为永不超时

switch#conf t

switch(config)#line con 0

switch(config-line)#exec-timeout 0

---------------------------------------------------------------------------------

交换机显示命令：

switch#write ；保存配置信息

switch#show vtp ；查看vtp配置信息

switch#show run ；查看当前配置信息

switch#show vlan ；查看vlan配置信息

switch#show vlan name vlan2

switch#show interface ；查看端口信息

switch#show int f0/0 ；查看指定端口信息

switch#show int f0/0 status；查看指定端口状态

switch#show interface status

switch#dir flash: ；查看闪存

switch#show running-config

switch(config)#do show running-config 显示存储在内存中的当前正确配置文件。

show startup-configuration：显示存储在非易失性存储器（NVRAM）的配置文件。

show users：显示所有连接到路由器的用户。

show hosts：显示主机名和地址信息。

switch(config)#do show interface

switch(config-if)#do show int f0/21

switch#show arp

switch#show mac-address-table

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2960交换机上配置,配置IP及网关

switch#conf t

switch(config)#interface vlan1 进入vlan 1特殊接口配置模式

switch(config-if)#ip address 19216811 2552552550 设置交换机的管理IP地址

switch(config)#ip default-gateway 19216811 设置交换机的网关地址

switch(config)#ip domain-name pctccomcn 设置交换机所连域的域名

switch(config)#no ip domain-name

switch#ip name-server 2188718230 设置交换机所连域的域名服务器IP

switch#show int vlan 1 查看交换机的VLAN 1特殊接口配置信息

switch#show run 查看交换机的当前运行配置等全部信息

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交换机VLAN创建，删除，端口属性的设置，配置trunk端口，将某端口加入vlan中，配置VTP：

switch(config)#vlan 2

switch#vlan database ；进入VLAN设置

switch(vlan)#vlan 2 ；建VLAN 2

switch(vlan)#vlan 3 name vlan3 ；建VLAN 3并命名为vlan3

switch(vlan)#no vlan 2 ；删vlan 2

switch(config)#int f0/1 ；进入端口1

switch(config)#speed 查看speed命令的子命令

switch(config)#speed 100 设置该端口速率为100mb/s (10/auto)

switch(config-if)#do show int f0/21 显示21口配置信息

switch(config-if)#shut ；shutdown 关闭当前端口

switch(config-if)#no shut ；no shutdown 开启当前端口

switch(config)#duplex 查看duplex的子命令

switch(config)#duplex full 设置该端口为全双工(auto/half)

switch(config)#description TO_PC1 这是该端口描述为TO_PC1

switch(config)#interface f0/21

switch(config-if)#switchport access vlan 2 ；当前端口加入vlan 2

switch(config-if)#switchport mode trunk ；设置为trunk模式(access模式)

switch(config-if)#switchport trunk allowed vlan 1，2 ；设置允许的vlan

switch(config-if)#switchport trunk encap dot1q ；设置vlan 中继

switch(config)#vtp domain vtpserver ；设置vtp域名相同

switch(config)#vtp password ；设置发vtp密码

switch(config)#vtp server ；设置vtp服务器模式

switch(config)#vtp client ；设置vtp客户机模式

---------------------------------------------------------------------------------------

交换机设置IP地址,默认网关，域名，域名服务器，配置和查看MAC地址表：

switch(config)#interface vlan 1 ；进入vlan 1

switch(config-if)#ip address 19216811 2552552550 ；设置IP地址

switch(config)#ip default-gateway 19216816 ；设置默认网关

switch(config)#ip domain-name ciscocom 设置域名

switch(config)#ip name-server 192168118 设置域名服务器

switch(config)#mac-address-table 查看mac-address-table的子命令

switch(config)#mac-address-table aging-time 100 设置超时时间为100ms

switch(config)#mac-address-table permanent 00000c01bbcc f0/3 加入永久地址在f0/3端口

switch(config)#mac-address-table restricted static 00000c02bbcc f0/6 f0/7 加入静态地址目标端口f0/6源端口f0/7

switch(config)#end

switch#show mac-address-table 查看整个MAC地址表

switch#clear mac-address-table restricted static 清除限制性静态地址

-----------------------------------------------------------------------------------

交换机端口加入vlan

将多个端口加入到VLAN2

switch(config)#interface range fa 0/17-24

switch(config-if-range)#switchport access vlan 2

单个端口加入VLAN

switch(config)#interface f0/1

switch(config-if-range)#switchport access vlan 2

--------------------------------------------------------------------------------

交换机的端口和MAC地址表的设置

2960交换机配置端口属性

switch#conf t

switch#interface ethernet 0/1

进入第1个端口

switch#description switch-e0/1-pc1

给端口写入注释信息

switch#duplex auto/full/full-flow-control/half

设置端口的工作模式

switch#port secure

启用端口安全性

switch#port secure max-mac-count 1

设置该端口允许对应的MAC地址数(默认132个)

switch#sh mac-address-table security

查看端口安全性

2912交换机配置端口属性

switch#conf t

进入全局配置模式

switch#interface fastethernet 0/1

进入第1个端口

switch#description switch-f0/1-pc1

给端口写入注释信息

switch#duplex auto/full/half

设置端口的工作模式

switch#port security

启用端口安全性

switch#port security max-mac-count 1

设置该端口允许对应的MAC地址数(默认132个)

switch#end

返回特权模式

switch#sh port security

查看端口安全性

配置和查看MAC地址表

1924交换机配置MAC地址表

switch#mac-address-table aging-time 600

设置动态地址超时时间

switch#mac-address-table permanent 00000cdd5a4d e0/3

定义永久MAC地址(绑定MAC地址)

switch#mac-address-table restricted static 00000cddaaed e0/6 e0/7

定义受限MAC地址

switch#address-violation disable/ignore/suspend

定义地址安全违规

switch#show mac-address-table

查看上述配置

switch#clear mac-addr restric static

清除受限MAC地址表项

2912交换机配置MAC地址表

switch#mac-address-table aging-time 700

设置动态地址超时时间

switch#mac-address-table static 00000cdd5a4d e0/3

定义永久MAC地址(绑定MAC地址)

switch#mac-address-table secure 00d0f80d3333 f0/3 vlan 1

定义受限MAC地址

switch#port security action shutdown/trap

定义地址安全违规

switch#show port security

查看上述配置

配置VTP、VLAN、VLAN Trunk和STP

配置VTP

switch#conf t

switch#vtp server

定义VTP的工作模式

switch#vtp domain cisco

定义VTP的域名

switch#trunk on

启用干道

switch#vtp domain cisco

加入VTP域

switch#vtp client

定义VTP的工作模式

switch#trunk on

启用干道

switch#show trunk b

switch#show trunk b allowed-vlans

查看干道信息

配置VLAN

switch#vlan 10 dept1

switch#vlan 20 dept2

switch#vlan 30 dept3

switch#vlan 40 dept4

定义所需VLAN

switch#show vlan

查看VLAN信息

switch#show vlan

switch#show vtp

查看VTP的信息

switch#int e0/1

switch#vlan-membership static 10

switch#int e0/2

switch#vlan-membership static 20

switch#int e0/3

switch#vlan-membership static 30

switch#int e0/4

switch#vlan-membership static 40

把接口划入各自VLAN

配置spanning tree

switch#spantree 1

启用生成树协议

switch#sh spantree 1

查看生成树信息

switch#no spantree 1

关闭生成树协议

switch#sh spantree 1

查看生成树信息

交换机上屏蔽个别MAC地址方法

configure terminal

interface gigabitEthernet 0/20

switchport

sw mode acc

sw port-sec

sw port-sec mac-add [macaddress]

sw port-sec max 1

sw port-sec violation restrict

可能是是RAID卡问题，可能卡坏了，电池没电了。

硬盘基本信息

硬盘是电脑主要的存储媒介之一，由一个或者多个铝制或者玻璃制的碟片组成。碟片外覆盖有铁磁性材料。

硬盘有固态硬盘(SSD 盘，新式硬盘)、机械硬盘(HDD 传统硬盘)、混合硬盘(HHD 一块基于传统机械硬盘诞生出来的新硬盘)。SSD采用闪存颗粒来存储，HDD采用磁性碟片来存储，混合硬盘(HHD: Hybrid Hard Disk)是把磁性硬盘和闪存集成到一起的一种硬盘。绝大多数硬盘都是固定硬盘，被永久性地密封固定在硬盘驱动器中。

磁头复位节能技术:通过在闲时对磁头的复位来节能。

多磁头技术:通过在同一碟片上增加多个磁头同时的读或写来为硬盘提速，或同时在多碟片同时利用磁头来读或写来为磁盘提速，多用于服务器和数据库中心。

辅助存储器是计算机系统中的一种设备，用于扩展计算机存储容量并提供持久性存储，常见的形式包括硬盘、固态硬盘、光盘和闪存。

1辅助存储器的定义和作用

辅助存储器是计算机系统中用于扩展主存储器容量的设备，它的作用是存储计算机程序和数据，以供长期保存和随时读取。与主存储器（内存）相比，辅助存储器的容量更大且数据保持不变。

2常见的辅助存储器设备

硬盘驱动器是最常见的辅助存储器设备之一，它通过磁道、扇区和柱面的组合将数据存储在磁性表面上。固态硬盘（SSD）是另一种常见的辅助存储器，它使用闪存芯片来存储数据，具有更快的访问速度和较高的可靠性。

3光盘和闪存作为辅助存储器

光盘是利用激光技术读写数据的辅助存储器设备，可分为CD、DVD和蓝光光盘。它具有较大的存储容量，但相对于硬盘和固态硬盘而言，访问速度较慢。闪存是一种非易失性存储器技术，常用于USB闪存驱动器和闪存卡中，它具有小巧、便携和高速的优势。

4辅助存储器的工作原理

辅助存储器的工作原理基于数据的存储和检索。数据通过存储控制器和接口与计算机系统连接，并按照预定的格式进行存储和组织。在需要读取数据时，系统会根据指令和地址信息访问辅助存储器，并将数据传送到主存储器或处理器中进行处理。

5辅助存储器的重要性和应用

辅助存储器对计算机系统具有重要意义，它可以实现大容量数据的存储和持久性保存。广泛应用于个人计算机、服务器、数据中心等各种计算机系统中，支持操作系统、应用程序、媒体文件、数据库等的存储和管理。

总结：辅助存储器是计算机系统中用于扩展主存储器容量和提供持久性存储的设备，常见形式有硬盘、固态硬盘、光盘和闪存。

辅助存储器通过存储控制器和接口与计算机系统连接，实现数据的存储和检索。它在计算机系统中具有重要作用，支持各种应用程序和数据的存储、管理和持久化。

准备工具/原料：一台PC和一台交换机

1、首先将一台PC和一台交换机用线缆连接起来。

2、打开PC，规范好PC的网络配置，如下图所示，记住PC的网关就是交换机的IP地址。

3、进入交换机的中端里面进行配置。

4、先给交换机起一个名字，命令是：Switch#conf tEnter configuration commands, one per line  End with CNTL/ZSwitch(config)#hostname s1s1(config)#

5、在小型或中型甚至大型企业，不可能只有一台交换机连接一台电脑，以下就是交换机的端口。

6、交换机还可以创建wlan模式。