内存DIMMECC什么意思

DIMM的意思是“双列直插式存储模块”，ECC是一种能够实现“错误检查和纠正”的技术，ECC内存就是应用了这种技术的内存，一般多应用在服务器及图形工作站上，可使整个电脑系统在工作时更安全稳定。

内存DIMM ECC合在一起就是采用双列直插式存储模块并能进行错误检查和纠正的内存！

DIMM0是第一内存插槽；DIMM2是内存插槽第三。DIMM1是第二内存插槽、DIMM3是第四内存插槽。组建双通道是将DIMM0和DIMM2或者DIMM1和DIMM3插上一组相同容量、型号的内存在理论上提供比一根内存高一倍带宽的技术。

内存插槽是指主板上用来插内存条的插槽，主板所支持的内存种类和容量都由内存插槽来决定。内存双通道要求必须插相同颜色的内存，不按照规定插不能正常开启内存双通道功能。

内存插槽通常最少有两个，最多的为4或者6或者8个。内存条通过金手指与主板连接，所有的信号都是通过金手指进行传送的。

扩展资料：

内存插槽类型介绍：

1、SIMM：单内联内存模块SIMM(Single Inline Memory Module)，单内联内存模块。内存条通过金手指与主板连接，内存条正反两面都带有金手指。金手指可以在两面提供不同的信号，也可以提供相同的信号。

2、DIMM：DIMM(Dual-Inline-Memory-Modules)，即双列直插式存储模块。内存插槽DIMMDIMM与SIMM相当类似，不同的只是DIMM的金手指两端不像SIMM那样是互通的，它们各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。

3、RIMM：rimm插槽RIMM是Rambus公司生产的RDRAM内存所采用的接口类型，RIMM内存与DIMM的外型尺寸差不多，金手指同样也是双面的。RIMM有也184 Pin的针脚，在金手指的中间部分有两个靠的很近的卡口。RIMM非ECC版有16位数据宽度，ECC版则都是18位宽。

全缓冲DIMMs是针对内存说的

内存的4路交错式运行：内存交错（memory interleaving）是早期应用在高端主板市场，用来提升内存性能的一种技术。它能提供更多的传输管道、更高的内存频宽，使内存在同一时间内能对不同bank同时进行写/读的工作，大幅提高了内存的速度，可以有效地提升整体系统性能。

4路内存交错方式的影响非常明显，受益最大的恐怕就是处理器子系统了，打开内存4路交错方式以后，处理器子系统的性能提升了约23%。这是因为CPU在工作时尽可能地让保存最近用过的指令，当CPU需要指令的时候，它首先在它的一级缓存中查找，一级缓存就是存放最近用过的指令的地方也是说涉及了以前说的cpu一级二级缓存为什么那么经贵很少

在 CPU中，一级缓存的速度与CPU同速，如果CPU在一级缓存中找不到它所需的指令，就发生通常称为缓存遗漏（cache miss）的现象。当CPU在一级缓存中发现缓存遗漏的时候，就会转到二级缓存中查找所需的指令，CPU的二级缓存速度，与CPU核心速度相同，当二级缓存中出现缓存遗漏时，计算机就转向系统内存，如果在这些地方都找不到所需指令，计算机就只好向硬盘提出读取请求了。在这里，硬盘是计算机中最慢的部分了。更多更快的内存，就是为了把所需指令全都放在一、二级缓存和系统内存中。这样，就可以大幅缩短CPU查询指令时的等待时间，提高CPU的执行效率，同时磁盘子系统因内存系统速度的提升带来的I/O吞吐量和执行效率的提高而大大减少了读写次数，不仅减轻了磁盘子系统的负担，而且可以接受更多的I/O响应。因此，系统的整体性能也得到了大幅提高。

运行4路内存交错功能，在带来性能提升的同时，也加剧了内存的负担，品质不好的内存很可能会出现不工作不稳定的情况，因此需要内存具备良好的品质,以上的只是用在高端的主板或者服务器上面的

所以在买cpu的时候要看好的除了主频。外频。前端总线还要看一级二级缓存。

前较常用的内存从形态上区分，主要有simm内存条和dimm内存条两种。“simm”即单列直插存储模块，它有30线和70线之分，不过目前30线的simm内存条已经十分少见了，它主要使用在早期的486上，现在较多一些的是72线的simm内存条，这种simm在高档486和早期的586上比较常用。“dimm”即双列直插存储模块，它的引脚有168个，所以也叫做168线内存。这两种内存的识别方法十分简单，dimm内存采用了直接插入的边缘连接方式，而且dimm内存比较长，simm内存在尺寸上比dimm短许多，安装时必须倾斜插入内存插槽中，再用力扶正，simm两端有两个孔，当simm安装到位时，插槽两端的簧片会嵌入孔中，以固定内存。

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解析:

DDR(Double Data Rate)：双数据速率；

DIMM(Dual In-line Memory Module)：双面引脚内存；

就象我们越来越熟悉Rambus和PC133一样，一个新的名词DDR出现在我们面前。我们经常被问到："什么是DDR？"简单的回答就是"双数据速率同步DRAM。它以两倍的速度传输数据。"那么，它意味着什么呢？

DDR的历史

在1997年，我们在JEDEC存储器会议上第一次看到了配备DDR内存的PC。那时，DDR内存只由Samsung制造和推广。主板上的芯片组是DDR可选的VIA M3。其数据传输速率是150Mhz。不幸的是，此主板只工作了两个小时。

虽然第一块带有DDR内存的主板工作的并不很好，但是它给了半导体界足够的信心去继续发展DDR的商业产品。DDR存储器协会和任务组的目的就是继续优化DDR存储器结构。同时，Rambus内存也在此时出现来参与竞争。

什么是DDR？

DDR非常类似常规的同步DRAM，不象Rambus是基于数据包概念工作的。普通的同步DRAM（我们称之为SDR）是从标准DRAM演化而来的。

标准DRAM接收两个字的地址命令。它以复用方式节省输入管脚。第一个地址字由行地址选通信号（RAS）存贮在DRAM芯片中。随后是列地址选通信号（CAS）以存贮第二个地址字。紧接着Ras和Cas选通，所存储的数据就可以被读取了。

SDRAM将时钟加入到标准DRAM的之中。它的Ras 、Cas和数据有效都发生在每个时钟周期的上升沿。由于时针周期，数据的位置和其它的信号都可以被预测。因此，数据读取指针就可以被非常精确的定位。因为数据的有效窗口很容易被预知，所以内存也被分为四个存储体以便内部单元预充电和预读取。同时，它还可以用突发模式进行连续地址读取而不必重复Ras选通信号。只需用连续的Cas选通信号就可以把同一行中的数据顺序读出。

除了数据在时钟的上升沿和下降沿都可以读取以外，DDR内存的工作模式与SDR很相似。因此，单一时钟频率可以使数据传输的速率两倍于时钟频率。新一代的DDR内存将工作在200 Mhz和266 Mhz的数据速率。

DDR DRAM的设计

第一代的DDR内存（通常称为DDR 1）有很多新特性。

它的标准是4个内部存储体以减少时延（随机存取访问的建立时间）。

它的双数据传输结构是2倍的预读取设计，可以在每个时钟周期内传输2 个数据字。

DQS指针在读周期由DDR发送，而在写周期由控制器发送，它应用于对齐数据。输入输出数据均参照DQS信号。

DDR DRAM以差动时钟信号工作，以使噪音干扰最小。

突发（连续数据输出）模式可以被编程为2、4或8个突发长度。

芯片中包括一个DLL（数据琐向环）以帮助锁定和调整内部时钟。

I/O接口工作在25V的SSTL-2 Class Ⅱ及Vref参考电压。

一些早期的DDR产品工作在33V的VDD电压，当低电压技术成熟时，它最终将改变成25V，以达到节能的目的。

机械封装

标准的DDR SDRAM使用66pin 400mil TSOP封装，类似于标准SDRAM封装。管脚间距为065mm。这使得它可以适用于常规的PCB装配板，而无需特殊的组装设备。64Mbit芯片、128 Mbit芯片、256 Mbit芯片和512 Mbit堆积式芯片是管脚兼容设计，这样可方便地应用统一的DIMM PCB。

DDR模块和选项

标准的DDR内存条是184 pin DIMM。它很象标准的168 pin SDRAM DIMM，只是用了一个凹槽而不是SDR上的2个凹槽。组件的长度也是525英寸以节省宝贵的主板空间。

标准化协会定义了两种不同配置的DDR内存条。第一种是无缓冲DDR DIMM，它成本低，可应用在PC和Inter设备上。第二种是缓冲DDR DIMM，它将板上PLL与缓存结合在一起，应用于较高存储密度的服务器应用。

DDR的设计中还包括了可用于内存条上FET开关的可选控制信号。这种设计用于高存储密度工作站中存储器输出的噪声隔离。

工业标准也规定了贮存在EEPROM芯片中的特定的SPD。

将来会出现支持特殊市场的200针SODIMM模块和232针模块，无论怎样，基本特点和功能是相同的。

DDR的价格

谈到价格，DDR在开始阶段会比SDR高10%~15%，然而，由于几乎相同的晶片(DIE)尺寸和结构，很快就会实现价格齐平。我们会发现存储器厂商会将 DDR和SDR设计 在相同的晶片上 。那时，价格差异将非常小。

至于DDR模块，由于无需特殊的组装与测试设备，184针非缓冲模块的出厂价和销售价都会相对较低，额外售价会对缓冲模块和特殊配置模块收取。

结语

由于DDR是具有突出性能和低价格的演进产品，计算机行业会很快采用它。从今夏至2003年，它都会在业界盛行，直至下一代存储器出现。