SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产

　SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。SK海力士宣布开发出238层闪存芯片，将于明年量产。

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　据国外媒体报道，周二，韩国芯片制造商SK海力士宣布，它已开发出238层NAND闪存芯片。

　该公司表示，这款芯片是最小的NAND闪存芯片，数据传输速度与上一代芯片相比提升50%，读取数据消耗的能量降低21%，将用于PC存储设备、智能手机和服务器，计划在2023年上半年开始批量生产。

　去年12月30日，SK海力士宣布完成收购英特尔NAND闪存及SSD业务的第一阶段。在第一阶段的交易中，英特尔向SK海力士出售SSD业务（包括转让NAND SSD相关的知识产权及员工）和大连的NAND闪存制造工厂，SK海力士则向英特尔支付70亿美元。

　这笔收购交易的第二阶段预计将在2025年3月及之后进行，届时SK海力士将向英特尔支付余下的20亿美元。据悉，英特尔出售给SK海力士的相关资产交由后者新设立的子公司Solidigm管理。

　由于全球经济的不确定性正在抑制消费者对电子产品的购买力，SK海力士在7月下旬宣布，将无限期推迟投资33亿美元新建存储芯片工厂的扩张计划。

　据悉，SK海力士决定推迟扩建的工厂是该公司此前决定在清州园区建设的M17存储芯片工厂，该工厂原本计划于2023年晚些时候开工建设，预计最早于2025年完工。

　外媒报道称，该公司之所以决定推迟扩建计划，可能是由于成本上升以及市场对芯片的需求放缓等问题。

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　SK 海力士官宣全球首发 238 层 512Gb TLC 4D NAND 闪存，将于明年上半年投入量产。现在，SK 海力士官方发文对其最新技术进行了介绍。

　据介绍，SK 海力士 238 层 NAND 闪存在达到业界最高堆栈层数的同时实现了全球最小的面积。

　SK 海力士在 2018 年研发的 96 层 NAND 闪存就超越了传统的 3D 方式，并导入了 4D 方式。为成功研发 4D 架构的芯片，公司采用了电荷捕获型技术 (CTF，Charge Trap Flash) 和 PUC (Peri Under Cell) 技术。相比 3D 方式，4D 架构具有单元面积更小，生产效率更高的优点。

　官方称，新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比 176 层 NAND 闪存其生产效率也提高了 34%。

　此外，238 层 NAND 闪存的数据传输速度为 24Gbps，相比前一代产品提高了 50%，芯片读取数据时的能源消耗也减少了 21%。

　SK 海力士计划先为 cSSD 供应 238 层 NAND 闪存，随后将其导入范围逐渐延伸至智能手机和高容量的服务器 SSD 等。SK 海力士还将于明年发布 1Tb 密度的全新 238 层 NAND 闪存产品。

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　7月26日，美国美光科技表示将开始出货其最先进的NAND闪存芯片，也是首家正式宣布将NAND芯片扩展到超过200层的企业；本周三，韩国的SK海力士也宣布开发出一款超过200层的闪存芯片。

　美光的闪存芯片由232层存储单元组成，数据传输速度将比其上一代176层的芯片快50%，且封装尺寸比前几代产品还要小28%。该芯片将主要瞄准人工智能和机器学习等以数据为中心的领域，满足其低延迟和高吞吐量的需求。

　韩国SK海力士公司今日也宣布，开发出超200层的NAND闪存芯片。该款芯片由238层存储单元组成，比美光的最新芯片还要多装6层。

　据SK海力士称，238层芯片是其尺寸最小的NAND闪存芯片，数据传输速度和功率比上一代提高了50%，读取数据消耗的能量也减少了21%。

　SK海力士这款最新芯片将在2023年上半年开始量产；而美光则表示将于2022年底开始量产232层NAND。

　 层数越高越好

　NAND闪存几乎应用与所有主要的电子终端之中，智能手机、电脑、USB驱动器等都有它的存在。闪存受不受市场欢迎的两个重要因素，一是成本，二就是存储密度。

　而自2013年三星设计出垂直堆叠单元技术后，芯片的层数比拼一直是各大NAND闪存芯片厂商竞争的重点。

　与CPU和GPU仍在竞争增大晶体管密度、用更精细的技术大幅提高芯片性能不同，在NAND市场，目前，想要大幅提高存储密度，增加层数就是关键。因此，NAND闪存从最初的24层一路上升，发展到现在的200多层。

　不过也有专家表示，在闪存芯片领域，各个厂家都有各自的技术架构和演进路线图，并不完全一致，各家都有各家的技术工艺特色。在低层级的时候，3D堆叠确实能够显著提升闪存的性能，但是随着层数的增加，性能提升也会遭遇瓶颈，需要在技术、成本和性能之间寻找一个平衡。总体而言，层数的领先并不能代表闪存技术上的绝对领先，还是综合成本和性能来看。

　美光232层NAND使用了与三星第七代闪存相似的“双堆栈”技术。将232层分为两部分，每部分116层，从一个深窄的孔开始堆叠。通过导体和绝缘体的交替层蚀刻，用材料填充孔，并加工形成比特存储部分，从而制造出成品芯片。

　而蚀刻和填充穿过所有堆叠层的孔，就成为了NAND闪存层数增加的技术关卡。

　 200层的野心

　目前，大多数的闪存芯片仍在生产100+层数的芯片，但众多生产企业对200层的生产工艺都是跃跃欲试。

　早在2019年，SK海力士就做出过大胆假设，在2025年推出500层堆叠产品，并在2032年实现800层以上。

　今年稍早，美国西部数据与合作伙伴日本铠侠称，将很快推出超过200层的BiCS+内存芯片，预定在2024年正式面世。

　参与层数竞争的三星电子也被曝将在今年底推出200层以上的第八代NAND闪存，业界猜测可达224层，传输速度和生产效率将提高30%。

　现在全球的闪存格局，三星电子虽是技术的奠基者并在过去一直领导市场发展，但在200层以上的竞争上，略落后于美光与SK海力士。这两家公司入局虽晚，但技术演进势头很猛，在技术上可能保持领先优势。

　而未来，据欧洲知名半导体研究机构IMEC认为，1000层的NAND闪存也不是很远，或在10年内就会出现。层数之争依旧是NAND闪存的主旋律，就看能否有人弯道超车了。

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1、其实都差不多，三星和海力士都是代工内存条，也同时出售内存颗粒，也有自己的内存品牌，我觉得海力士更好，是目前最大的内存颗粒生产制造商，两个都是韩国货，三星主要做服务器内存比较多，海力士品牌机内存比较多。

2、中国三星在华累计投资达到50亿美元。2006年大中华地区销售额为300亿美元，其中在大陆的销售额为205亿美元。2006年中国三星从中国大陆出口的金额达到123亿美元，占当年公司销售总额的60%。

3、SK海力士半导体公司是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体厂商之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。2012年初，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士2105%的股份从而入主这家内存大厂。