如何使用FTP将我电脑上的文件传给别人

如何在自己的服务器上与他人共享文件

在数字化时代，共享文件已成为团队协作和数据共享的重要工具。通过设置共享文件，我们可以轻松地与其他人共享文件、数据和资源，实现高效的协作和信息交流。那么，如何设置共享文件夹呢？下面我们将为大家提供一份详细的攻略指南。

工具介绍

ONLYOFFICE办公套件

ONLYOFFICE协作空间服务器版

ONLYOFFICE协作空间呢只是该套件中的一款云产品，在最新版本当中该软件推出了自托管版本，也就是说可以部署在自己的服务器上了，如果你成功的将协作空间部署在自己的服务器上，那么就连开发人员和云供应商都无法访问你的空间，安全性直接原地拉满。

第一步；

选择共享文件夹的存储位置

首先，你需要选择一个合适的存储位置来放置共享文件。例如我使用的ONLYOFFICE协作空间平台，我将它部署在我本地服务器上，再也不用担心文件泄露，数据丢失的风险了。（图例）

第二步；

点击需要共享文件的后缀，选择邀请用户，可选通过链接邀请用户，并设置对方访问权限，例如；可编辑，可查看等，然后将链接分享给对方，就可以进入你的房间与你共同协作了。（图例）

第三步；

在房间信息里，可以查看到房间的名称，和成员，以及历史记录等等。（图例）

第四步；

这里可以设置文件的访问或禁止放的权限，点击即可锁定或解锁文件。

完成以上步骤，你就可以轻松掌握与他人共享文件的方法了，在工作中可能会遇到共同协作的问题，假如遇到可以部署在自己服务器上的共同协作，你会拒绝吗？

注意；目前只能在 Linux 服务器上安装 ONLYOFFICE 协作空间，根据您的系统选择 DEB 或 RPM 软件包，或使用 Docker。

服务器SAS硬盘出现Unconfigured Bad可能是因为驱动器出现误差，具体操作如下：

1、用命令行监测一下驱动是否配置良好。

2、再检测一下16：4的状态是否配置良好。

3、然后需要清理一下foreign conifig。

4、最后清除以前的外部配置，将驱动设置为hotspare。

如要在文本文档和演示文稿中对信息和数据做直观表现，SmartArt 是最佳方式之一。方案、图表、漏斗图——它们都是 SmartArt 的类型。这一功能背后的主要目的是吸引注意力，与纯文本相比，让观点能被更好的感知到。ONLYOFFICE 文档支持多种 SmartArt 类型。

工具介绍；

ONLYOFFICE协作空间

协作空间是ONLYOFFICE办公套件的一款工作协作平台，可以帮助你更好的与同事或者合作伙伴进行文档协作，在协作空间内可以创建加密协作房间或者自定义房间，在房间内可以上传或创建新的文档，电子表格，演示文稿，表单模板，文件夹等。最重要的是它没有任何广告，还可以部署在自己的服务器上，安全性能直接拉满。

协作空间使用SmartArt详细步骤

第一步；

打开自己的协作空间，建立一个新的协作房间，新的文本文档。（图例）注；如没有账户，可以使用自己的电子邮箱注册。

第二步；

打开新建的文本文档，在插入选项卡中找到SmartArt

第三步；

选择列表中的图形，可以制作出一个一目了然的列表图形。

第四步；

或是选择流程图，在一个项目开始之前的准备环节，准备措施越充分，成功率越大。

第五步；

使用这一类 SmartArt 元素，您可以轻松而巧妙地安排带有说明的。

注意：虽然 SmartArt 图形因其设计和目的被分到不同的类别，但有些对象可能会出现在多个类别中。用户在选择时，需考虑到其适用性。

以上是我和大家分享的几种SmartArt使用方法，ONLYOFFICE中的SmartArt还包括了其他多种多样的SmartArt图形内容，都是我们日常工作中会遇到的，通过 SmartArt 嵌入，可以为演示文稿和文本文档增加更多创意

Ctrl+L试试，不行就重新绘图。

一般来说，遇到图例有问题的情况，只需要把现有的图例删除，然后点击左侧工具栏上的 Reconstruct Legend 图标即可，快捷键是 Ctrl + L 。

Origin是由OriginLab公司开发的一个科学绘图、数据分析软件，支持在Microsoft Windows下运行。Origin支持各种各样的2D/3D图形。Origin中的数据分析功能包括统计，信号处理，曲线拟合以及峰值分析。

Origin中的曲线拟合是采用基于Levernberg-Marquardt算法（LMA）的非线性最小二乘法拟合。Origin强大的数据导入功能，支持多种格式的数据，包括ASCII、Excel、NI TDM、DIADem、NetCDF、SPC等等。

图形输出格式多样，例如JPEG，GIF，EPS，TIFF等。内置的查询工具可通过ADO访问数据库数据。

Origin是一个具有电子数据表前端的图形化用户界面软件。与常用的电子制表软件不同，如Excel。Origin的工作表是以列为对象的，每一列具有相应的属性，例如名称，数量单位，以及其他用户自定义标识。Origin以列计算式取代数据单元计算式进行计算。

Origin可使用自身的脚本语言（LabTalk）去控制软件，该语言可使用Origin C进行扩展。Origin C是内置的基于C/C++的编译语言。

值得注意的是，Origin可以作为一个COM服务器，通过VBNET,C#,LabVIEW等程序进行调用。

由于Origin的功能较为寻常，专案档（pro）是封闭格式，并且只支持Windows这个操作系统，是其较大的缺点。因此网络上也有不少免费及开源或自由软件实作出类似功能的软件。

其中以LabPlot（基于KDE函式库）以及QtiPlot（基于QT开发的）为最知名的同类软件，因此在实验室数据分析方面的工作，这两套软件是不错的替代选择。

DNS服务器的设置步骤如下：

打开控制面板，并找到“网络和共享中心”，并点击网络和共享中心”

完成上述步骤后，会出现下面图示，在左边栏里找到“更改适配器设置”并点击

在出来的界面中，选中网卡，并右键点击，在出来的菜单中点击“属性”

在出来的本地连接 属性的界面中，双击“TCP/IPv4”这项

在出来的配置界面填写IP地址、子网掩码、还有网关这三项，（这三项必须符合当前上网环境的填写）填写完毕后，在填写下面的NDS（一般都是网络供应商提供，比如电信和网通）

DNS（Domain Name System，域名系统），是因特网上作为域名和IP地址相互映射的一个分布式数据库，能够使用户更方便的访问互联网，而不用去记住能够被机器直接读取的IP数串。通过主机名，最终得到该主机名对应的IP地址的过程叫做域名解析（或主机名解析）。DNS协议运行在UDP协议之上，使用端口号53。

从PC100标准开始内存条上带有SPD芯片，SPD芯片是内存条正面右侧的一块8管脚小芯片，里面保存着内存条的速度、工作频率、容量、工作电压、CAS、tRCD、tRP、tAC、SPD版本等信息。当开机时，支持SPD功能的主板BIOS就会读取SPD中的信息，按照读取的值来设置内存的存取时间。我们可以借助SPDinfo这类工具软件来查看SPD芯片中的信息，例如软件中显示的SDRAM PC133U-333-542就表示被测内存的技术规范。内存技术规范统一的标注格式，一般为PCx-xxx-xxx，但是不同的内存规范，其格式也有所不同。

1、PC66/100 SDRAM内存标注格式

（1）10---12版本

这类版本内存标注格式为：PCa-bcd-efgh，例如PC100-322-622R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示（如66MHZ、100MHZ、133MHZ等）；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示，一般为2；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示，一般为2；e表示最大的tAC（相对于时钟下沿的数据读取时间），一般为6（ns）或65，越短越好；f表示SPD版本号，所有的PC100内存条上都有EEPROM，用来记录此内存条的相关信息，符合Intel PC100规范的为12版本以上；g代表修订版本；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

（2）12b+版本

其格式为：PCa-bcd-eeffghR，例如PC100-322-54122R，其中a表示标准工作频率，用MHZ表示；b表示最小的CL（即CAS纵列存取等待时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；c表示最少的Trcd（RAS相对CAS的延时），用时钟周期数表示；d表示TRP（RAS的预充电时间），用时钟周期数表示；ee代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；ff代表SPD版本，如12代表SPD版本为12；g代表修订版本，如2代表修订版本为12；h代表模块类型；R代表DIMM已注册，256MB以上的内存必须经过注册。

2、PC133 SDRAM（版本为20）内存标注格式

威盛和英特尔都提出了PC133 SDRAM标准，威盛力推的PC133规范是PC133 CAS=3，延用了PC100的大部分规范，例如168线的SDRAM、33V的工作电压以及SPD；英特尔的PC133规范要严格一些，是PC133 CAS=2，要求内存芯片至少75ns，在133MHz时最好能达到CAS=2。

PC133 SDRAM标注格式为：PCab-cde-ffg，例如PC133U-333-542，其中a表示标准工作频率，单位MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；c表示最小的CL（即CAS的延迟时间），用时钟周期数表示，一般为2或3；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如54代表54ns tAC；g代表SPD版本，如2代表SPD版本为20。

3、PC1600/2100 DDR SDRAM（版本为10）内存标注格式

其格式为：PCab-ccde-ffg，例如PC2100R-2533-750，其中a表示内存带宽，单位为MB/s；a1/16=内存的标准工作频率，例如2100代表内存带宽为2100MB/s，对应的标准工作频率为21001/16=133MHZ；b代表模块类型(R代表DIMM已注册，U代表DIMM不含缓冲区；cc表示CAS延迟时间，用时钟周期数表示，表达时不带小数点，如25代表CL=25；d表示RAS相对CAS的延时，用时钟周期数表示；e表示RAS预充电时间，用时钟周期数表示；ff代表相对于时钟下沿的数据读取时间，表达时不带小数点，如75代表75ns tAC；g代表SPD版本，如0代表SPD版本为10。

4、RDRAM 内存标注格式

其格式为：aMB/b c d PCe，例如256MB/16 ECC PC800，其中a表示内存容量；b代表内存条上的内存颗粒数量；c代表内存支持ECC；d保留；e代表内存的数据传输率，e1/2=内存的标准工作频率，例如800代表内存的数据传输率为800Mt/s，对应的标准工作频率为8001/2=400MHZ。

5、各厂商内存芯片编号

内存打假的方法除了识别内存标注格式外，还可以利用刻在内存芯片上的编号。内存条上一般有多颗内存芯片，内存芯片因为生产厂家的不同，其上的编号也有所不同。

由于韩国HY和SEC占据了世界内存产量的多半份额，它们产的内存芯片质量稳定，价格不高，另外市面上还流行LGS、Kingmax、金邦金条等内存，因此我们就先来看看它们的内存芯片编号。

（1）HYUNDAI（现代）

现代的SDRAM内存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以顺利的使用它，其SDRAM芯片编号格式为：HY 5a b cde fg h i j k lm-no

其中HY代表现代的产品；5a表示芯片类型(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；b代表工作电压(空白=5V，V=33V,U=25V)；cde代表容量和刷新速度（16=16Mbits、4K Ref，64=64Mbits、8K Ref，65=64Mbits、4K Ref，128=128Mbits、8K Ref，129=128Mbits、4K Ref，256=256Mbits、16K Ref，257=256Mbits、8K Ref）；fg代表芯片输出的数据位宽（40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；h代表内存芯片内部由几个Bank组成（1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank，是2的幂次关系）；I代表接口（0=LVTTL〔Low Voltage TTL〕接口）；j代表内核版本（可以为空白或A、B、C、D等字母，越往后代表内核越新）；k代表功耗（L=低功耗芯片，空白=普通芯片）；lm代表封装形式（JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ）；no代表速度（7=7ns〔143MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，10p=10ns〔PC-100 CL2或3〕，10s=10ns〔PC-100 CL3〕，10=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=5ns〔66MHz〕）。

例如HY57V658010CTC-10s，HY表示现代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4K refresh cycles/64ms，8是8位输出，10是2个Bank，C是第4个版本的内核，TC是400mil TSOP-Ⅱ封装，10S代表CL=3的PC-100。

市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难；编号ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；编号BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很稳定。一般来讲，编号最后两位是7K的代表该内存外频是PC100，75的是PC133的，但现代内存目前尾号为75的早已停产，改换为T-H这样的尾号，可市场上PC133的现代内存尾号为75的还有很多，这可能是以前的屯货，但可能性很小，假货的可能性较大，所以最好购买T-H尾号的PC133现代内存。

（2）LGS〔LG Semicon〕

LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的内存芯片也很常见。LGS SDRAM内存芯片编号格式为：GM72V ab cd e 1 f g T hi

其中GM代表LGS的产品；72代表SDRAM；ab代表容量(16=16Mbits，66=64Mbits)；cd表示数据位宽(一般为4、8、16等)；e代表Bank（2=2个Bank，4=4个Bank）；f表示内核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白=普通）；T代表封装（T=常见的TSOPⅡ封装，I=BLP封装）；hi代表速度（75=75ns〔133MHz〕，8=8ns〔125MHz〕，7K=10ns〔PC-100 CL2或3〕，7J=10ns〔100MHz〕，10K=10ns〔100MHz〕，12=12ns〔83MHz〕，15=15ns〔66MHz〕）。

例如GM72V661641CT7K，表示LGs SDRAM，64Mbit，16位输出，4个Bank，7K速度即PC-100、CL=3。

LGS编号后缀中，75是PC133内存；8是真正的8ns PC 100内存，速度快于7K/7J；7K和7J属于PC 100的SDRAM，两者主要区别是第三个反应速度的参数上，7K比7J的要快，上133MHz时7K比7J更稳定；10K属于非PC100规格的，速度极慢，由于与7J/7K外型相似，不少奸商把它们冒充7J/7K的来卖。

（3）Kingmax(胜创)

Kingmax的内存采用先进的TinyBGA封装方式，而一般SDRAM内存都采用TSOP封装。采用TinyBGA封装的内存，其大小是TSOP封装内存的三分之一，在同等空间下TinyBGA封装可以将存储容量提高三倍，而且体积要小、更薄，其金属基板到散热体的最有效散热路径仅有036mm，线路阻抗也小，因此具有良好的超频性能和稳定性，不过Kingmax内存与主板芯片组的兼容性不太好，例如Kingmax PC150内存在某些KT133主板上竟然无法开机。

Kingmax SDRAM内存目前有PC150、PC133、PC100三种。其中PC150内存(下图)实际上是能上150外频且能稳定在CL=3（有些能上CL=2）的极品PC133内存条，该类型内存的REV12版本主要解决了与VIA 694X芯片组主板兼容问题，因此要好于REV11版本。购买Kingmax内存时，你要注意别买了打磨条，市面上JS常把原本是8ns的Kingmax PC100内存打磨成7ns的PC133或PC150内存，所以你最好用SISOFT SANDRA2001等软件测试一下内存的速度，注意观察内存上字迹是否清晰，是否有规则的刮痕，芯片表面是否发白等，看看芯片上的编号。

KINGMAX PC150内存采用了6纳秒的颗粒，这使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也会比一般的PC133内存来的快；Kingmax的PC133内存芯片是-7的，例如编号KSV884T4A1A-07；而PC100内存芯片有两种情况：部分是-8的（例如编号KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如编号KSV884T4A0-07）。其中KINGMAX PC133与PC100的区别在于：PC100的内存有相当一部分可以超频到133，但不是全部；而PC133的内存却可以保证100%稳定工作在PC133外频下（CL=2）。

（4）Geil(金邦、原樵风金条)

金邦金条分为'金、红、绿、银、蓝'五种内存条，各种金邦金条的SPD均是确定的，对应不同的主板。其中红色金条是PC133内存；金色金条P针对PC133服务器系统，适合双处理器主板；绿色金条是PC100内存；蓝A色金条针对AMD750/760 K7系主板，面向超频玩家；蓝V色金条针对KX133主板；蓝T色金条针对KT-133主板；银色金条是面向笔记本电脑的PC133内存。

金邦内存芯片编号例如GL2000 GP 6 LC 16M8 4 TG -7 AMIR 00 32

其中GL2000代表芯片类型（GL2000=千禧条TSOPs即小型薄型封装，金SDRAM=BLP）；GP代表金邦科技的产品；6代表产品家族（6=SDRAM）；LC代表处理工艺（C=5V Vcc CMOS，LC=02微米33V Vdd CMOS，V=25V Vdd CMOS）；16M8是设备号码（深度宽度，内存芯片容量 = 内存基粒容量 基粒数目 = 16 8 = 128Mbit，其中16 = 内存基粒容量；8 = 基粒数目；M = 容量单位，无字母=Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封装代码（DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113

FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=μ BGA）；-7是存取时间（7=7ns（143MHz））；AMIR是内部标识号。以上编号表示金邦千禧条，128MB，TSOP（第二代）封装，02微米33V

Vdd CMOS制造工艺，7ns、143MHz速度。

（5）SEC（Samsung Electronics，三星）

三星EDO DRAM内存芯片编号例如KM416C254D表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（1=x1[以1的倍数为单位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表电压（C=5V、V=33V）；254代表内存密度256Kbit（256[254] = 256Kx、512(514) = 512Kx、1 = 1Mx、4 = 4Mx、8 = 8Mx、16 = 16Mx）；D代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代、C=第4代、D=第5代）即三星256Kbit16=4Mb内存。

三星SDRAM内存芯片编号例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16代表内存芯片组成x16（4 = x4、8 = x8、16 = x16）；S代表SDRAM；16代表内存芯片密度16Mbit（1 = 1M、2 = 2M、4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；2代表刷新（0 = 4K、1 = 2K、2 = 8K）；3表示内存排数（2=2排、3=4排）；0代表内存接口（0=LVTTL、1=SSTL）；A代表内存版本（空白=第1代、A=第2代、B=第3代）；G代表电源供应（G=自动刷新、F=低电压自动刷新）；10代表最高频率（7 = 7ns[143MHz]、8 = 8ns[125 MHz]、10 = 10ns[100 MHz]、H = 100 MHz @ CAS值为2、L = 100 MHz @ CAS值为3 ）。三星的容量需要自己计算一下，方法是用'S'后的数字乘S前的数字，得到的结果即为容量，即三星16M16=256Mbit SDRAM内存芯片，刷新为8K，内存Banks为3，内存接口LVTTL，第2代内存，自动刷新，速度是10ns(100 MHz)。

三星PC133标准SDRAM内存芯片格式如下：

Unbuffered型：KMM3 xx s xxxx BT/BTS/ATS-GA

Registered型：KMM3 90 s xxxx BTI/ATI-GA

三星DDR同步DRAM内存芯片编号例如KM416H4030T表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；16表示内存芯片组成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表内存电压（H=DDR SDRAM[33V]、L=DDR SDRAM[25V]）；4代表内存密度4Mbit（4 =4M、8 = 8M、16 = 16M、32 = 32M、64 = 64M、12 = 128M、25 = 256M、51 = 512M、1G = 1G、2G = 2G、4G = 4G）；0代表刷新（0 = 64m/4K [156μs]、1 = 32m/2

[156μS]、2 = 128M/8K[156μS]、3 = 64M/8K[78μS]、4 = 128M/16K[78μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(33V)、1=SSTL_2(25V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 67NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 75NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT16=64MBIT内存芯片，33V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (156μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(33V)，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=33V VDD CMOS，V=25V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CDEF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS

SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ

DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=25

-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=25）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=25）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，75=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=68NS〔147MHZ〕，75A=75NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10

[156μS]、2 = 128M/8K[156μS]、3 = 64M/8K[78μS]、4 = 128M/16K[78μS]）；3表示内存排数（3=4排、4=8排）；0代表接口电压（0=混合接口LVTTL+SSTL_3(33V)、1=SSTL_2(25V)）；T表示封装类型（T=66针TSOP Ⅱ、B=BGA、C=微型BGA(CSP)）；Z代表速度133MHZ（5 = 5NS, 200MHZ (400MBPS)、6 = 6NS, 166MHZ (333MBPS)、Y = 67NS, 150MHZ (300MBPS)、Z = 75NS, 133MHZ (266MBPS)、8 = 8NS, 125MHZ (250MBPS)、0 = 10NS, 100MHZ (200MBPS)）。即三星4MBIT16=64MBIT内存芯片，33V DDR SDRAM，刷新时间0 = 64M/4K (156μS)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压LVTTL+SSTL_3(33V)，封装类型66针TSOP

Ⅱ，速度133MHZ。

三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成X18（16 = X16、18 = X18）；RD表示产品类型（RD=DIRECT RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL-CSP）；80代表速度（60 = 600MBPS、80 = 800MBPS）。即三星8M18BIT=144M，BGA封装，速度800MBPS。

（6）MICRON（美光）

MICRON公司是世界上知名内存生产商之一（如右图MICRON PC143 SDRAM内存条），其SDRAM芯片编号格式为：MT48 AB CDMEF AG TG-HI J

其中MT代表MICRON的产品；48代表产品家族（48=SDRAM、4=DRAM、46=DDR SDRAM、6=RAMBUS）；AB代表处理工艺（C=5V VCC CMOS，LC=33V VDD CMOS，V=25V VDD CMOS）；CDMEF设备号码（深度宽度），无字母=BITS，K=KILOBITS（KB），M=MEGABITS（MB），G=GIGABITS（GB）MRICRON的容量=CDEF；EF表示数据位宽(4、8、16、32分别代表4位、8位、16位和32位)；AG代表WRITE RECOVERY〔TWR〕(A2=TWR=2CLK)；TG代表封装（TG=TSOPⅡ封装，DJ=SOJ，DW=宽型SOJ，F=54针4行FBGA，FB=60针816 FBGA，FC=60针1113 FBGA，FP=反转芯片封装，FQ=反转芯片密封，F1=62针2行FBGA，F2=84针2行FBGA，LF=90针FBGA，LG=TQFP，R1=62针2行微型FBGA，R2=84针2行微型FBGA，U=μ BGA）；J代表功耗（L=低耗，空白=普通）；HJ代表速度，分成以下四类：

（A）DRAM

-4=40NS，-5=50NS，-6=60NS，-7=70NS

SDRAM，X32 DDR SDRAM（时钟率 @ CL3）

-15=66MHZ，-12=83MHZ，-10+=100MHZ，-8X+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7X+=143MHZ，- 65=150MHZ，-6=167MHZ，-55=183MHZ，-5=200MHZ

DDR SDRAM（X4，X8，X16）时钟率 @ CL=25

-8+=125MHZ，-75+=133MHZ，-7+=143MHZ

（B）RAMBUS（时钟率）

-4D=400MHZ 40NS，-4C=400MHZ 45NS，-4B=400MHZ 50NS，-3C=356MHZ 45NS，-3B=356MHZ 50NS，-3M=300MHZ 53NS

+的含义

-8E支持PC66和PC100（CL2和CL3）

-75支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL=3）

-7支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2和CL3）

-7E支持PC66、PC100（CL2和CL3）、PC133（CL2+和CL3）

（C）DDR SDRAM

-8支持PC200（CL2）

-75支持PC200（CL2）和PC266B（CL=25）

-7支持PC200（CL2），PC266B（CL2），PC266A（CL=25）。

例如MT 48 LC 16M8 A2 TG -75 L _ ES表示美光的SDRAM，16M8=168MB=128MB，133MHZ

（7）其它内存芯片编号

NEC的内存芯片编号例如μPD4564841G5-A80-9JF表示：μPD4代表NEC的产品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示数据位宽（4、8、16、32分别代表4位、8位、16位、32位，当数据位宽为16位和32位时，使用两位）；4代表BANK数（3或4代表4个BANK，在16位和32位时代表2个BANK；2代表2个BANK）；1代表LVTTL（如为16位和32位的芯片，则为两位，第2位双重含义，如1代表2个BANK和LVTTL，3代表4个BANK和LVTTL）；G5为TSOPⅡ封装；-A80代表速度：在CL=3时可工作在125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8NS〔125MHZ CL 3〕，10=10NS〔PC100 CL 3〕，10B=10NS较10慢，TAC为7，不完全符合PC100规范，12=12NS，70=[PC133]，75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-PINTSOP-Ⅱ；JF=54-PIN TSOPⅡ；JH=86-PIN TSOP-Ⅱ）。

HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；B60代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，A60=10NS〔PC-100 CL2或3〕，B60=10NS〔PC-100 CL3〕即100MHZ时CL是3）。

SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S AB CD0 E T F -GH 其中AB为容量，GH是速度（6=166MHZ，7=143MHZ，75=133MHZ，8=125MHZ，8B=100MHZ〔CL3〕，10=100MHZ〔PC66规格〕）。

TOSHIBA的内存芯片编号例如TC59S6408BFTL-80表示：TC代表是东芝的产品；59代表SDRAM（其后的S=普通SDRAM，R=RAMBUS SDRAM，W=DDR SDRAM）；64代表容量（64=64MB，M7=128MB）；08表示数据位宽（04、08、16、32分别代表4位、8位、16位和32位）；B表示内核的版本；FT为TSOPⅡ封装（FT后如有字母L=低功耗，空白=普通）；80代表速度（75=75NS〔133MHZ〕，80=8NS〔125MHZ〕，10=10NS〔100MHZ CL=3〕）。

IBM的内存芯片编号例如IBM0316809CT3D-10，其中IBM代表IBM的产品；03代表SDRAM；16代表容量16MB；80表示数据位宽（40、80、16分别代表4、8、16位）；C代表功耗（P=低功耗，C=普通）；D表示内核的版本；10代表速度（68=68NS〔147MHZ〕，75A=75NS〔133MHZ〕， 260或222=10NS〔PC100 CL2或3〕，360或322=10NS〔PC10